Adolfo Urso, Ministro delle Imprese e del Made in Italy, Margrethe Vestager, Vicepresidente Esecutiva della Commissione Europea e Commissario Europeo per la Concorrenza, Jean-Marc Chery, CEO di STMicroelectronics, Enrico Trantino, sindaco di Catania, e Francesco Priolo, rettore dell’Università di Catania, hanno visitato a Catania il Silicon Carbide Campus di STMicroelectronics, dove sta per sorgere un nuovo stabilimento che produrrà chip al
carburo di silicio per dispositivi di potenza.
L’investimento annunciato dal colosso della microelettronica è di 5 miliardi di euro e genererà 2000 posti di lavoro nella città siciliana. Lo Stato italiano contribuirà con circa 2 miliardi nell’ambito del Chips Act. Questo investimento rappresenta il secondo progetto più grande mai approvato dalla Commissione Europea nel quadro delle normative sul settore, che mirano a raddoppiare la quota di mercato globale dell’UE nel campo dei semiconduttori entro il 2030, passando dal 10% al 20%.
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Che cosa produrrà il nuovo stabilimento
Il nuovo stabilimento contribuirà a consolidare la sicurezza nell’approvvigionamento, la resilienza e la “sovranità digitale” dell’Europa nel settore dei semiconduttori. L’obiettivo produttivo sarà la realizzazione su larga scala di carburo di silicio per dispositivi e moduli di potenza, oltre alle attività di test e packaging.
Nel nuovo sito si produrranno semiconduttori, wafer in carburo di silicio da 200 mm per dispositivi e moduli di potenza.
Il carburo di silicio (SiC) è un materiale composto da silicio e carbonio che offre numerosi vantaggi rispetto al silicio tradizionale, soprattutto nelle applicazioni energetiche. Il SiC è caratterizzato da una migliore conduttività termica, maggiore velocità di commutazione e bassa dissipazione di energia. Queste proprietà lo rendono particolarmente adatto per la produzione di dispositivi di potenza ad alta tensione, soprattutto quelli superiori a 1.200 V. I dispositivi di potenza SiC, come i MOSFET SiC, trovano applicazione in vari settori, tra cui veicoli elettrici, infrastrutture di ricarica rapida, energie rinnovabili e data center. Rispetto ai semiconduttori tradizionali in silicio, i chip SiC permettono di gestire correnti elettriche più elevate e di ridurre le perdite energetiche, migliorando così l’efficienza energetica complessiva.
L’impianto di produzione di Catania non solo supporterà la crescente domanda di dispositivi SiC nelle applicazioni automobilistiche, industriali e infrastrutturali, ma rappresenterà anche un centro di eccellenza per l’innovazione e la ricerca nel campo del SiC. La struttura integrerà tutte le fasi del flusso di produzione, dalla fabbricazione dei wafer all’assemblaggio dei moduli. Ci saranno poi laboratori avanzati per la ricerca e sviluppo di processi, la progettazione del prodotto e le capacità di confezionamento.
L’impianto dovrebbe iniziare la produzione nel 2026 e raggiungere la piena capacità entro il 2033, con una produzione di 15.000 wafer a settimana. Questo investimento rafforzerà la posizione di Catania come centro globale di competenza per la tecnologia SiC.
Urso: “Puntiamo a supportare investimenti per 10 miliardi entro l’anno”
Durante la visita Urso ha evidenziato che “il nuovo sito di produzione di Stm a Catania è un esempio per l’Europa, un modello di cooperazione tra Italia e Francia, un campione europeo che può diventare mondiale. Questa è una giornata storica, per la Sicilia che diventerà la terra del futuro, per il nostro Paese che si avvia a essere leader nella microelettronica e per l’intero continente che si appresta a far nascere player internazionali e competitivi nel mondo”.
Ha poi aggiunto: “Ci tengo a sottolineare, ancora una volta, che l’investimento di STMicroelectronics è il secondo più grande all’interno del Chips Act e la Commissione non approva qualsiasi investimento. Approva solo quelli primi nel loro genere: in grado di generare tecnologia all’avanguardia, di essere essenziali per la strategia europea, di farci risalire la graduatoria nella competizione globale sui chips. Il Campus STM di Catania fa tutto questo”.
Il ministro ha poi continuato sottolineando come questo progetto non sia isolato, ma sia stato reso possibile grazie alla Strategia Italiana sulla Microelettronica che prevede 4 miliardi per attrarre in Italia grandi investimenti:
“L’annuncio di oggi è coerente con quanto stiamo facendo sin dall’insediamento di questo Governo con un piano nazionale sul settore, oramai in piena attuazione. Oggi l’Etna Valley diventa protagonista nel futuro dell’innovazione tecnologica. La Commissione Europea ce l’ha già riconosciuto in altre occasioni: Catania, ad esempio, è stata scelta ad aprile tra le quattro linee pilota di produzione dei semiconduttori nell’ambito dell’European Chips Act, portando un investimento complessivo di 400 milioni di euro di cui più della metà sul territorio presso il CNR”.
“In questo contesto – ha evidenziato il ministro – rientrano anche la creazione della fondazione ChipsIT di Pavia e l’annuncio a marzo di un investimento di 3,2 miliardi da parte della società di Singapore Silicon Box per un sito produttivo nel Nord Italia. Ecco, con l’annuncio di oggi, arriviamo dunque a un totale di circa €8,3 miliardi messi a terra in Italia nel settore, ma andremo oltre: puntiamo a 10 miliardi entro l’anno, perché crediamo che l’Italia possa essere competitiva nelle tecnologie green e digitali”.
Infine, Urso ha ribadito come sarà sempre più importante lavorare in sinergia con la Commissione con cui “stiamo stringendo un rapporto, anche in chiave G7, che ci porta a una comunanza di vedute sulla strategia del continente sui semiconduttori”.
Per questo, ha concluso il ministro, “sono contento di affrontare assieme non solo gli investimenti, ma anche la strada che stiamo delineando nel punto di contatto G7 sui chips. Qui tratteremo di come coordinarci sulla ricerca precompetitiva e sulle pratiche non di mercato che mettono a rischio la stabilità del settore. Temi che sono essenziali per far sì gli investimenti, come quello di STM qui a Catania, non siano compromessi da un contesto globale sempre più frammentato e bipolare”.
